IDT发布行业首款兼容LRDIMM、RDIMM和NVDIMM的3200 MT/s芯片组

　　最新IDT芯片组集成先进功能，将DDR4速度和密度提升到新水平

　　2017年5月16日美国加州圣何塞——Integrated Device Technology, Inc.(IDT (R))(纳斯达克股票代码：IDTI)今天宣布向客户和生态系统合作伙伴推出4RCD0232K寄存器和4DB0232K数据缓冲器样品。该芯片组集成了近日被纳入JEDEC最新标准(定义3200 MT/s性能器件)的新特性，包括决策反馈等化(DFE)、NVDIMM专用通信端口和细粒化输出信号回叫控制等。除了新特性和性能引擎，该芯片组还实现了目前业内最低的DDR4芯片组功耗。

　　随着多插槽内存子系统速度越来越快，回叫和串扰影响了信号电压幅值的质量，使之难以识别信号的逻辑电平。DFE是一项从噪声中恢复原始信号的技术，能大大提高信号电平强度。虽然DFE刚刚被纳入JEDEC标准，但IDT在前两代器件中就已把它作为专有性能增强技术。几年来，IDT与主要生态系统合作伙伴和控制器厂商合作促进必要的系统培训软件和固件开发，以充分实现DFE带来的好处，IDT还是推动将该技术纳入最新标准修订版的主要支持者。

　　IDT还加入了一系列旨在提高NVDIMM密度和性能的特性。芯片组和NVDIMM控制器之间的新通信接口，以及用于在灾难性停电时进行快速可靠恢复的自动状态机，都支持服务器和存储的新一代容错和性能加速。除了密度和性能，通过集成前几代NVDIMM使用的大量外部元件，芯片组还节省了成本。该芯片组可无缝配合IDT最新发布的P8800 NVDIMM电源管理芯片，提供一个具有可编程支持通电次序、电压故障转移和后备电源保护功能的完整解决方案。

　　IDT副总裁兼内存接口部总经理Rami Sethi表示：“该芯片组是过去几年我们为将DRAM和存储级内存解决方案带宽和密度提高到新水平所付出的努力的结晶。为了提升多插槽内存拓扑的速度，IDT与我们的客户和生态系统合作伙伴紧密合作，将高速串行接收器的常用技术引入了内存子系统。”

　　美光(Micron)计算与网络业务部副总裁Malcolm Humphrey表示：“美光正在检验IDT DDR4 3200寄存器和数据缓冲器工程样品。该芯片组使高成本效益的LRDIMM 3200解决方案成为可能，还有望把我们设计的NVDIMM提高到更高速度。”

　　经验证，IDT最新芯片组已完全符合JEDEC规范。了解IDT的DDR4解决方案详情，请访问www.idt.com/go/DDR4 。

　　关于IDT

　　集成设备技术公司(IDT)开发系统级解决方案，为客户优化应用。IDT的RF、高性能时序、存储器接口、实时互连、光纤互连、无线供电和SmartSensors等市场领先产品属于公司广泛、全面的面向通信、计算、消费者、汽车和工业领域的混合信号解决方案。IDT总部位于加州圣何塞，在全球有设计、制造、销售设施和分销合作伙伴。IDT股票在纳斯达克Global Select Stock Market(R)上市，股票代码“IDTI”。了解IDT详情，请访问：www.IDT.com 。请在Facebook、linkedIn、Twitter、YouTube和Google+关注IDT。

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